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Typical Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
10
2
Top :
V GS
15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
10
1
6.0 V
Bottom : 5.5 V
10
150 C
10
25 C
-55 C
0
1
o
o
o
10
10
10
2. T C = 25 C
10
10
-1
-1
0
* Notes :
1. 250 ? s Pulse Test
o
1
0
2
4
6
8
* Notes :
1. V DS = 40V
2. 250 ? s Pulse Test
10
12
10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
0.6
0.5
V GS = 10V
0.4
1
V GS , Gate-Source Voltage [V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperatue
150 C
0.3
V GS = 20V
o
25 C
* Note : T J = 25 C
o
o
* Notes :
1. V GS = 0V
2. 250 ? s Pulse Test
10
0.2
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
V SD , Source-Drain voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
4000
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
12
3000
C oss
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
10
8
V DS = 100V
V DS = 250V
V DS = 400V
2000
1000
C iss
* Note ;
1. V GS = 0 V
6
4
C rss
2. f = 1 MHz
2
* Note : I D = 16A
10
10
10
0
-1
0
1
0
0
10
20
30
40
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q G , Total Gate Charge [nC]
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FDA16N50_F109 Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
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